COMPORTAMENTO DA PERMISSIVIDADE RELATIVA DOS FILMES FINOS DE V2O5:MOO3

  • Camila Cholant
  • Luana Uszacki Krüger
  • Raphael Dorneles Caldeira Balboni
  • Erika Vasques Schneider
  • Rafaela Moreira Javier Lemos
  • César Avellaneda
Rótulo Dielétrico, Filmes, finos, Temperatura

Resumo

A tecnologia de filme fino está bem estabelecida e amplamente utilizada na fabricação de dispositivos eletrônicos, como: resistores, capacitores, dispositivos fotoeletrônicos e eletrocrômicos etc (Hutchins et al., 2007). No entanto, as propriedades elétricas e dielétricas dos filmes são significativamente afetadas pela cristalinidade, dependendo do método de preparação. O estudo do comportamento dielétrico é uma importante fonte de informações em um filme fino; uma vez que pode-se determinar o tempo de relaxamento elétrico, comportamento dos portadores de carga, a sua energia de ativação e o mecanismo de condução (Kumar et al., 2016) que podem ser úteis na determinação de estrutura e defeitos em sólidos. Os filmes de óxido de vanádio (V2O5) têm atraído grande atenção dos pesquisadores devido às suas propriedades fascinantes, porém apresenta baixa estabilidade. Segundo Santha et al. (2004) a adição de uma pequenas quantidade de dopante resulta em um aumento na constante dielétrica do material. O presente trabalho investiga o comportamento da permissividade relativa dos filmes finos eletrocrômicos de V2O5:MoO3 variando a temperatura do sistema. Os filmes foram preparados pelo método sol-gel e depositados pela técnica dip-coating, posterior tratados termicamente a 350 °C por 30 min. Mediante a análise de EIE (espectroscopia de impedância eletroquímica) foi possível o estudo do comportamento da permissividade relativa, em uma faixa de frequência de 10^6 a 10^1 Hz e temperatura de 25 a 80 °C. Como resultado, na região de baixas frequências, a variação da temperatura, levou ao aumento da permissividade relativa ε(real) e ε (imaginária), ou seja, mais portadores de carga obtém energia de excitação térmica para se mover livremente através da estrutura do V2O5:MoO3, causando o fenômeno de polarização do eletrodo. Conclui-se que o aumento da permissividade relativa, os filmes de V2O5:MoO3 poderão ser aplicados a dispositivos eletrocrômicos devido a sua capacidade de armazenar energia.

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Publicado
2020-11-20
Como Citar
CHOLANT, C.; USZACKI KRÜGER, L.; DORNELES CALDEIRA BALBONI, R.; VASQUES SCHNEIDER, E.; MOREIRA JAVIER LEMOS, R.; AVELLANEDA, C. COMPORTAMENTO DA PERMISSIVIDADE RELATIVA DOS FILMES FINOS DE V2O5:MOO3. Anais do Salão Internacional de Ensino, Pesquisa e Extensão, v. 12, n. 2, 20 nov. 2020.